氧化铪相关论文
爆炸式增长的数据量使得信息在CPU和内存之间的数据传输带宽遇到了所谓的“冯·诺伊曼瓶颈”。发展后摩尔时代新器件和计算架构,探......
铁电存储器是一种以铁电材料作为数据载体的非易失性存储器,因其良好的存储性能,在医疗、航空航天等领域一直备受关注。然而,现有......
随着5G、人工智能、物联网的兴起,信息量的增长激发了人们对高性能存储器的需求。铁电存储器由于其高存储密度、高读写速度、低功......
在过去的几十年里,互补金属氧化物半导体（complementary metal oxide semiconductor,CMOS）晶体管的不断缩小为计算和信息技术的指数......
阻变存储器（RRAM）具有储量大、器件面积小、能耗低、以及与传统工艺兼容等优点,有望取代Flash存储器,解决其因特征尺寸减小时存在的......
学位
随着人们对数据存储需求的增加,越来越多的存储器件应运而生。一直以来,铁电材料广泛应用于铁电隧道结和忆阻器等存储器件中。然而......
大数据时代需要存储和处理的数据量呈现爆发式增长,而传统基于浮栅结构的存储器和基于冯.诺依曼构架的计算器已经达到技术瓶颈,发......
人脑由许多通过突触连接的神经元组成,可以同时执行感知、学习和记忆功能。因此,突触是生物大脑的主要单元,类似于生物突触的人工......
采用烧结工艺制备硼化铪粉末,利用XRD、SEM、EDS、高频红外吸收法等分析测试手段对制备得到硼化铪粉末的结晶性能、微观形貌、元素......
近年来,将铁电薄膜材料与硅基半导体集成工艺相结合而发展起来的铁电存储器成为一个新的研究热点.然而传统上应用于硅基铁电存储器......
应用于储能电容器的传统铁电与反铁电材料由于一些不可避免的缺点,如储能效率低,含铅量高,与硅半导体工艺结合性能下降等,使得研究......
自氧化铪的铁电性被发现以来，这种材料便受到了铁电领域的研究学者广泛的关注，因其优秀的铁电性能，较大的禁带宽度，以及与CMOS工艺的兼......
氧化钇稳定氧化锆(YSZ)是目前使用最广泛的热障涂层(TBC)陶瓷材料,但当温度高于1200℃时,YSZ由于相变会产生体积变化,降低涂层的热......
为了改善阻变开关层在厚度小于10 nm下的氧化铪(HfO_x)基阻变存储器的电学性能,提高器件开关均匀性并增大器件开关比,在开关层中加......
利用蒸发氧化铪和离子辅助蒸发金属铪反应沉积氧化铪薄膜,对两种工艺下制备的氧化铪薄膜进行光学和结构以及激光损伤特性的研究 ......
采用等离子体增强原子层沉积技术在Si衬底上制备了HfO2栅介质薄膜。为了抑制HfO2薄膜与Si衬底间界面层的生长,首先对Si衬底进行了......
采用电子束蒸镀在ITO上沉积Hf O2,研究了不同退火工艺对其电学性能的影响。当450℃时O2退火,Hf O2的漏电迅速增加,通过X射线衍射发......
随着信息化时代半导体产业的发展,人们对各种电子产品,特别是信息存储产品的需求呈现高速上升趋势。目前市场上最主流的存储器是基......
当前,柔性可穿戴电子器件是未来电子器件发展的重要趋势之一。人们迫切需要开发一种基于柔性衬底的存储器件,能实现数据存储、处理......
阻变存储器(Resistive Switching Memories,RRAMs)作为新型非易失性存储器的一种,具有简单类电容结构、最小4F~2单元面积、易三维......
氧化铪由于具有优良的硅工艺兼容性,有望成为最具潜力的新一代铁电材料。然而目前国内外对其核心特征—铁电畴（或畴壁）的结构和演化......
以分析纯ZrOCl2.8H2O、HfOCl2.8H2O和Y(NO3)3.6H2O为原料,采用反向滴定共沉淀-共沸蒸馏法成功地制备出无团聚的ZrO2-HfO2-Y2O3复合......
论文主要研究氧化铅材料应用于双极型存储器中存在的问题，即如何在确保读写速度、可擦写次数、数据保存时间等存储性能同时，获得“低......
研制了氧化铪(HfO2)层厚度名义值分别为1nm、5nm、10nm的3种氧化铪薄膜膜厚标准物质,采用溯源至SI长度和角度基准的纳米薄膜厚度校......
本文简要介绍了国内外制备原子能级氧化锆、氧化铪工艺流程,对其进行了技术经济分析.详细介绍了晶安高科承担的863计划引导项目的......
关于海绵铪的纯度的分析，目前尚无统一的国标方法，此外，由于铪与锆性质的相似性，也很难找到一种直接的，准确度高的测定铪，而锆又不干扰测......
氧化铪(HfO2)薄膜因具有近紫外-红外光谱范围内优良的光学透过性,高抗激光损伤阈值,高介电常数,以及良好的热力学稳定性和化学稳定......
近年来,具有高密度、高速度和低功耗等特点的非挥发性存储器件在存储器的发展过程当中占据着越来越重要的地位。而在众多的新型非......
金刚石具有高红外透过率、低吸收系数、抗热冲击性好、耐磨擦等一系列优异的性能，是用于长波红外波段(8～12μm)理想的窗口和头罩材料......
原子层沉积的高K介质在电子信息、纳米科技、材料科学等多个领域有着广泛的应用。特别地,在诸如生物涂层,光刻胶剥离等很多方面的......
本论文以解决现有催化燃烧式氢气传感器耐冲击能力弱、检测范围窄、响应速度慢等问题为目标，结合微电子机械系统(MEMS)技术提出采用......
由于闪存技术随着工艺技术节点的持续缩小，面临技术发展瓶颈，包括串扰、写入速度慢和功耗大等难题，业界需要新型的非挥发存储器来承前......
随着集成电路工艺技术节点的不断微细化,基于电荷存储机制的Fl ASH非挥发性存储器在高密度、高速度等方面优势不再明显。阻变存储......
为了满足集成电路等比例缩小规则的要求，具有克服短沟道效应的超薄GOI材料和HfO2高K介质在未来CMOS小型化中具有很好的应用前景，可以......
由于锆和铪的氧化物具有广阔的发展前景和可预期的市场潜力，研究开发综合性能好的锆和铪的氧化物材料，已成为材料工作者努力实现的目......
硅基金属-氧化物-半导体(MOS)光电器件因其价格低廉、应用广泛等优点，具有广阔的应用潜力。完全利用原子层沉积(ALD)方法制备与当今......
Hf O_2作为最有前景的抗激光薄膜材料之一,最佳的制备方法是利用等离子体辅助电子束蒸发金属Hf并充氧进行反应沉积即PIA-EB-Hf法,......
期刊
用电子束蒸发氧化铪靶的方法,在SOI(绝缘体上硅)材料上制备了氧化铪薄膜,随后在氮气中进行快速退火(600℃,300s)。借助掠角X射线......
以分析纯ZrOCl2·8H2O、HfOCl2·8H2O和Y(NO3)3·6H2O为原料,采用反向滴定共沉淀-共沸蒸馏法成功地制备出无团聚的ZrO2-HfO2-Y2O3......
电子枪蒸发制备了氧化铪薄膜,对氧离子束辅助和未辅助两种情况下的样品进行了折射率、吸收、激光损伤阈值等属性的测试,结果表明,......
建立了用电感耦合等离子体-质谱法(ICP-MS)测定纯铪或氧化铪中的Mg、Al、Si、P、Ca、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Ni、Co、Cu、Zn、As、Zr......
期刊
