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SnSe是一种IV-VI型化合物半导体.本文采用脉冲激光溅射Sn和Se粉末混合靶制备出SnSe薄膜,研究了其表面结构和化学组成,并介绍了SnSe薄膜的电化学性能.
脉冲激光沉积SnSe薄膜电极及其电化学性质
【摘 要】
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SnSe是一种IV-VI型化合物半导体.本文采用脉冲激光溅射Sn和Se粉末混合靶制备出SnSe薄膜,研究了其表面结构和化学组成,并介绍了SnSe薄膜的电化学性能.
【机 构】
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复旦大学化学系激光化学研究所,上海市分子催化和功能材料重点实验室,上海,200433
【出 处】
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第十三次全国电化学会议
【发表日期】
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2005年期
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