脉冲激光溅射相关论文
采用脉冲激光溅射方法将PZT/YBCO沉积在LaAlO(LAO)基底上,所选择的烧结靶材分别是不掺杂的Pb(ZrTi)O和掺有2﹪BiO的Pb(ZrTi)O.沉积这......
该文基于前人的实验理论,率先研究了锆钛比为94/6的锆钛酸铅薄膜的性能.实验中薄膜样品的结构为Pt/PZT/YBCO/LAO,LAO为基底材料,Pt......
2000年,Dietl等预言Mn掺杂ZnO具有室温磁性,从而引起人们对其研究的热潮.在Mn掺杂ZnO薄膜中又有文献报道共掺杂剂可以调节载流......
SnSe是一种IV-VI型化合物半导体.本文采用脉冲激光溅射Sn和Se粉末混合靶制备出SnSe薄膜,研究了其表面结构和化学组成,并介绍了SnSe......
采用脉冲激光溅射法制备硼掺杂多晶硅薄膜,研究了不同频率下多晶硅薄膜的晶粒尺寸以及压阻性能。用扫描电子显微镜表征在不同的激......
脉冲激光溅射镀膜是一种高质量的薄膜制备技术，本文研究分别以ＳｎＯ２和纯锡作靶，用此技术生长的ＳｎＯ２膜的结构及对氢，乙醇的气敏性，探索将此技术应......
用脉冲激光溅射(PLD)法在LaAlO3(100)单晶衬底上制备了掺4.0 wt%Ag的超巨磁电阻材料La0.67Ca0.33MnO3薄膜.在氧气氛中经高温处理后......
采用脉冲激光溅射方法将PZT/YBCO沉积在LaAlO3(LAO)基底上,所选择的烧结靶材是Pb(Zr0.94Ti0.06)O3+2%Bi2O3.沉积YBCO和PZT薄膜的基......
脉冲激光溅射法(PLD), 作为一种制备高质量薄膜的方法, 被广泛地用于制备超导、铁电等薄膜. 用PLD法制备的Yb3+和Er3+共掺杂氟化物......
在SrTiO_3衬底上,用脉冲激光溅射制备BiFeO_3单层膜,用XRD、AFM、SEM和EDS表征薄膜的晶体结构、表面形貌和组成。用X射线全反射法......
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采用脉冲激光溅射方法将PZT/YBCO沉积在LaAlO3(LAO)基底上,所选择的烧结靶材分别是不掺杂的Pb(Zr0.94Ti0.06)O3和掺有2%Bi2O3的Pb(......
<正> 在国家自然科学基金等的资助下,复旦大学化学系周鸣飞教授领导的研究小组,近年来开展了低温基质隔离分子的光谱及反应动力学......
本实验将基础光学知识应用于激光溅射沉积(简称PLD)中对溅射产物的空间分布进行测量的研究,将此做为现代物理实验可以培养学生运用......
