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本文采用低压MOCVD技术,以H<,2>S,二甲基镉(DMCd)和二甲基锌(DMZn)为反应源,通过氢气携运,制备了Cd组份分别为0,0.02,0.44,0.59,0.83,0.91以及1的ZnCdS合金薄膜.并对不同Cd含量对Zn<,1-x>Cd<,x>S样品的结构和发光性质进行了研究.
Zn<,1-x>Cd<,x>S合金薄膜的结构和光学性质研究
【摘 要】
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本文采用低压MOCVD技术,以HS,二甲基镉(DMCd)和二甲基锌(DMZn)为反应源,通过氢气携运,制备了Cd组份分别为0,0.02,0.44,0.59,0.83,0.91以及1的ZnCdS合金薄膜.并对不同Cd含量对
【机 构】
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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室(长春市)
【出 处】
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中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议
【发表日期】
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2003年期
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