【摘 要】
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选择性发射极结构为二维电池结构,这意味着传统的一维模拟软件已经不再适用了.本文使用PC2D二维模拟软件对选择性发射极晶体硅太阳电池进行了器件模拟和参数优化.为了使模拟结果更加接近真实的情况,采用了更符合实际情况的器件结构和根据现有电池I-V曲线拟合得到的参数设置.在此基础上,全面系统地研究了栅线、重掺杂区、轻掺杂区、电池表面钝化情况、晶体硅活性层电学质量等对选择性发射极晶体硅太阳电池光电性能的影响
【机 构】
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中山大学,光电材料与技术国家重点实验室,太阳能系统研究所,广州510006
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选择性发射极结构为二维电池结构,这意味着传统的一维模拟软件已经不再适用了.本文使用PC2D二维模拟软件对选择性发射极晶体硅太阳电池进行了器件模拟和参数优化.为了使模拟结果更加接近真实的情况,采用了更符合实际情况的器件结构和根据现有电池I-V曲线拟合得到的参数设置.在此基础上,全面系统地研究了栅线、重掺杂区、轻掺杂区、电池表面钝化情况、晶体硅活性层电学质量等对选择性发射极晶体硅太阳电池光电性能的影响.本文总结了这些参数对电池效率的影响.此外,本文不但对模拟结果的现象进行了描述,还深化解释了其变化的物理机制.
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