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电应力作用下，栅氧化层受到损伤，表现为栅氧化层内陷阱电荷密度及界面态密度的增加。撤除电应力后，陷阱电荷因被俘获电荷的退陷（ｄｅｔｒａｐｐｉｎｇ）而减少。界面态密度也会自行减少。该文讨论这种栅氧化层损伤在零栅压下复原的现象。发现陷阱电荷退陷过程符合简单的指数规律，文中给出了退陷过程模型参数的测量方法及结果，对退陷过程中的实验结果进行了讨论。