饱和漏电流相关论文
随着器件尺寸的不断缩小，器件中横向电场和纵向电场逐渐增大，在pMOSFET中NBTI和HCI退化越来越突出。本文主要研究了在NBTI和HCI......
随着GaAsMESFET栅长的缩短,器件出现异于长栅器件的特性.理论工作者对短栅器件物理开展了研究,修正了肖克莱模型并提出了若干新模......
本文对4-9nm n-MOSFETs进行了沟道热载流子应力加速寿命实验,在饱和漏电流退化特性的基础上提出了适用不同氧化层厚度器件的寿命预......
该文针对GaAs MESFET在微波频率的应用中的射频过驱动导致高栅电流密度现象，设计了TiAl栅和TiPtAu栅GaAs MESFET的高温正向大电流试......
Two-dimensional DC and small-signal analysis of gate-to-source scaling effects in SiC-based high-power field-effect tran......
研究了LDD nMOSFET栅控产生电流在电子和空穴交替应力下的退化特性。电子应力后栅控产生电流减小,相继的空穴注人中和之前的陷落电......
研究了LEC法生长SI-GaAs衬底上的AB微缺陷对相应的MESFET器件性能(跨导、饱和漏电流、夹断电压)的影响．用AB腐蚀液显示AB微缺陷(AB-......
随着新型材料技术的不断发展,金属半导体材料不断被研发出来,推动了我国微电子产业的发展。碳化硅材料具备诸多优点,在金属半导体......
