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用国产高频浅射仪。在不同材料的基片上（包括盘片铝合金基片）制备出了轴垂直取向良好的Co-Cr膜。该文介绍了膜的制备过程中采用的溅射工艺，溅射方法及测试结果。讨论了薄膜性能与工艺条件的关系。（本刊录）
垂直磁录介质溅射工艺与测试
【摘 要】
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用国产高频浅射仪。在不同材料的基片上（包括盘片铝合金基片）制备出了轴垂直取向良好的Co-Cr膜。该文介绍了膜的制备过程中采用的溅射工艺，溅射方法及测试结果。讨论了薄膜性能
【机 构】
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华中工学院
【出 处】
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中国计算机学会磁学新进展讨论会
【发表日期】
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1985年期
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