【摘 要】
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近年来,随着显示技术的迅速发展,非晶氧化铟镓锌薄膜晶体管由于其较好的均匀性和高迁移率得到了广泛的应用.通常沉积IGZO薄膜技术主要为射频磁控溅射(RF),由于需要在溅射过程中放电,沉积速率较低,不利于提高生产效率,降低成本.而直流磁控溅射(DC)与RF相比,无放电过程,溅射速度快.采用DC制备了a-IGZO TFT,如图1.在相同功率条件下,沉积速率从RF的3.5nm/min提高到DC的30nm/
【机 构】
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高分子光电材料与器件研究所,发光材料与器件国家重点实验室,华南理工大学材料科学与工程学院,广州 510640
【出 处】
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第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议
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近年来,随着显示技术的迅速发展,非晶氧化铟镓锌薄膜晶体管由于其较好的均匀性和高迁移率得到了广泛的应用.通常沉积IGZO薄膜技术主要为射频磁控溅射(RF),由于需要在溅射过程中放电,沉积速率较低,不利于提高生产效率,降低成本.而直流磁控溅射(DC)与RF相比,无放电过程,溅射速度快.采用DC制备了a-IGZO TFT,如图1.在相同功率条件下,沉积速率从RF的3.5nm/min提高到DC的30nm/min,实现了高速沉积IGZO薄膜.因为DC速度快，导致In,Ga,Zn,O没有充分的时间结合，弱结合氧较多，容易脱附形成氧空位，从而增加了载流子浓度，提高了器件性能。
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