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采用第一性原理密度泛函理论研究了硅纳米晶中引入C1杂质对硅纳米晶的影响。当纳米晶中引入一个C1原子时,C1原子更倾向于位于纳米晶的表面位置。在硅纳米晶的合成过程中,若C1的化学势很低则更容易得到H钝化的硅纳米晶;若Cl的化学势略有增加则H和C1共钝化的硅纳米晶更容易形成。C1的钝化量随着C1的化学势的增加而增加,但当C1的钝化量很高时,硅纳米晶结构不稳定。相比于完全H钝化的硅纳米晶,含有C1杂货的硅纳米晶的带边辐射复合速率明显更高。同时,随着C1钝化量的增加,硅纳米晶的激发能和发射能发生明显变化。