In(Ga)As量子点与环形腔耦合

来源 :第十九届全国半导体物理学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:chen1052333209
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随着量子力学的逐渐发展与完善,量子独有的相干性和纠缠性等特性成为了研究领域的热点之一.在研究和实际应用中,高效率单光子源和有效全同光子源的制备是发展量子计算和量子通信的重要条件.
其他文献
GaN基宽禁带半导体材料由于具有良好的光学和电学特性,是制备紫外光探测器件的优选材料.氢化物气相外延(HVPE)生长技术由于其低成本、高生长速率是目前制备GaN厚膜的主要方法之一.
会议
作为第三代宽禁带半导体器件,AlGaN/GaN器件具有耐高压、高频、导通电阻小等优良特性,有望被广泛应用于电力电子器件以及微波功率器件并表现出卓越性能[1].
会议
ZnMgO因具有高透过率、带隙较宽且连续可调等特点,是CIGS太阳电池缓冲层的理想材料,制备高质量的ZnMgO薄膜是提高电池效率的关键[1-2].
会议
在过去的几十年间,随着科学技术的发展和人民生活水平的不断提高,高分辨率、大尺寸显示器,触屏电子产品,太阳能电池,LED,等等在我们的日常生活中得到广泛的应用.
会议
基于量子点的白光发光器件是目前的研究热点之一,利用带有表面态发光的量子点作为发光体可以直接实现白光发光的QD-LEDs1-3,然而带有表面态发光的量子点的荧光效率往往较低,限制了器件的效率.
会议
在固态照明领域,GaN基LED因其广阔的应用前景获得了人们的关注.但是,LED器件的外量子效率随着电流的增大而降低,即Efficiency droop现象,是发展大功率LED芯片的一个重要障碍.
会议
氧化物半导体具有较强的三阶非线性光学效应,其响应快速、损耗低的特性,在新型光电子器件的研制中有光明的前景[1].其中掺钴氧化锌具有高的居里温度,引起了人们在自旋电子器件方面对它的研究[2],有望成为新一代此光电耦合器件的载体.
会议
随着科技的发展,可再生能源有机太阳能电池越来越受到人们的重视.由于单分散给体-受体共轭共低聚物具有材料易合成,造价低,具有统一的化学结构[1][2]、分子长度可控等优点而受到广泛关注.
会议
量子点(QD)和纳米金属结构之间的耦合近几年来已经成为研究的热点问题[1-2],纳米金属结构能够局域化电磁场的能量,从而提高激发场或者发射场.
会议
金属表面等离子辅助受激辐射放大成为近年来的研究热点[1,2],有望实现纳米尺度下新型点光源.实验上,利用分子束外延(MBE)生长技术制备了InAs/GaAs半导体量子点样品,通过光刻等工艺及微区荧光光谱测量手段对量子点进行空间定位,再通过氢氟酸(HF)溶液浸泡腐蚀得到剥离后的样品(厚度~60 nm),最后把剥离后的样品放在镀有金薄膜(~200 nm)的蓝宝石衬底上.
会议