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ＧａＮ具有直接跃迁的能带结构，室温禁带宽为３．４ｅＶ，且化学稳定性很好，是制作高温、高功率、高光效的光电子器件基材料。自从１９９４年日本Ｎａｋａｍｕｒａ等人率先使用ＧａＮ材料研制高亮度蓝色发光二极管并商品化以来，国内外出现了ＮａＮ研究的热潮。该文使用Ｘ光双晶衍射较为系统地研究了在Ａｌ〈，２〉Ｏ〈，３〉衬底上ＭＯＣＶＤ生长的ＧａＮ的晶体特性。光源为Ｃｕ靶Ｋα１，第一晶体是Ｓｉ（１１１），功率为（３０ｋＶ×１８ｍＡ）；研究结果表明：１．层厚接近的样品，背景载流子浓度不高时，双晶半高宽与载流子迁移率具有一定的对应关系，半宽度越小，迁移率越大。２．当层厚比较薄时，即使双晶半宽很窄，其迁移率也不大。３．双晶半高宽与载流子浓度没有明显的对应关系。