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用等离子体浸没离子注入(PIII)的方法对氧化铟锡(ITO)进行了表面处理.在稳定IOOW射频功率输入情况下,氧等离子体环境中,研究了不同电学参数的处理效果.XPS分析表明,不同注入偏压条件下,样品表面氧含量有所变化,从而影响到ITO表面功函数;同时,In/Sn基本不变,表明实验过程中无明显的选择性刻蚀现象发生.