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对于直拉硅单晶生长过程中单晶内部的温度分布的深入了解和有效控制是控制直拉硅单晶中的位错和微缺陷的关键。该文讨论了采用硅光电池作为传感器的红外光辐射测温仪测量硅单晶的表面温度时的测准问题。得到了红外辐射温度计所接收到的辐射亮度信号大小与其相对于表面的取向无关的结论，提出了定量计算反射信号对于红外辐射温度计实际测量得到的温度的修正量的方法。