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用纳米WO<,3>制作NO<,x>气敏元件
用纳米WO<,3>制作NO<,x>气敏元件
来源 :第六届全国气湿敏传感器技术学术交流会及第八届全国湿度与水分检测学术交流会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:yuxuan_huang
【摘 要】
:
在主体材料WO中掺入适量的SiO可制得平均粒径为37nm的敏感材料,用该材 料制作的气敏元件对NO具有较高的灵敏度和较好的选择性,响应/恢复时间较快。
【作 者】
:
赖云锋
林伟
陈知前
黄世震
【机 构】
:
福州大学气敏传感器研究所(福建福州)
【出 处】
:
第六届全国气湿敏传感器技术学术交流会及第八届全国湿度与水分检测学术交流会
【发表日期】
:
2000年期
【关键词】
:
纳米
制作
主体材料
气敏元件
平均粒径
敏感材料
恢复时间
选择性
灵敏度
掺入
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在主体材料WO<,3>中掺入适量的SiO<,2>可制得平均粒径为37nm的敏感材料,用该材 料制作的气敏元件对NO<,x>具有较高的灵敏度和较好的选择性,响应/恢复时间较快。
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