氮化硅结构陶瓷的研究

来源 :'96中国材料研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:sese4546
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对Si〈,3〉N〈,4〉结构瓷材料进行了研究Si〈,3〉N〈,4〉-Y〈,2〉O〈,3〉-Al〈,2〉O〈,3〉-SiCw、Si〈,3〉N〈,4〉-Y〈,2〉O〈,3〉-La〈,2〉O〈,3〉、Si〈,3〉N〈,4〉-Y〈,2〉O〈,3〉-La〈,2〉O〈,3〉-SiCw、Si〈,3〉N〈,4〉+TZP等种组份的材料,及其室温弯曲强度和断裂韧性以及1350℃的弯曲强度和1000℃的断裂韧性对比情况。将由陶瓷涂层保护的GH39合金、SiCw(f)/Si〈,3〉N〈,4〉、Si〈,3〉N〈,4〉-Y〈,2〉O〈,3〉-La〈,2〉O〈,3〉等种材料在1100 ̄1150℃,进行了1 ̄200h的抗氧化性能比较。还讨论了氮化硅陶瓷的增韧机理及氧化钇和氧化镧添加剂的引入对氮化硅陶瓷性能和显微结构的影响。
其他文献
通过对Si〈,3〉N〈,4〉颗粒特性及其浆料流动性的研究发现:不同的Si〈,3〉N〈,4〉粉体具有不同的等电点。分散剂的引入明显改善浆料的流动性,对于粉体A,当分散剂用量达1.2wt℅时浆料具有最佳的流动性