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AlN是直接带隙的超宽禁带半导体材料，具有非常大的禁带宽度(6.2eV)、极高的击穿场强和热导率、优良的热稳定性和耐腐蚀性、良好的光学及力学性能，是制作AlGaN深紫外光电子器件的最佳衬底材料.
钨单晶上AlN单晶生长研究
【摘 要】
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AlN是直接带隙的超宽禁带半导体材料，具有非常大的禁带宽度(6.2eV)、极高的击穿场强和热导率、优良的热稳定性和耐腐蚀性、良好的光学及力学性能，是制作AlGaN深紫外光电子
【机 构】
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电子集团46所
【出 处】
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第17届全国晶体生长与材料学术会议
【发表日期】
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2015年期
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