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GaN基高电子迁移率晶体管（HEMT）凭借其大功率、耐高压的特点,近年来被广泛应用于5G技术、新能源汽车、无人机等新兴产业。但是由于HE......
随着第三代通讯技术的发展，声表面波(SAW)器件的使用频率不断提高，从最初的几MHz发展到现在的几GHz。高频应用系统的不断发展显著增......
无线通信、光纤通信系统飞速发展，低频段已经被占满，必须向高频段发展。高频声表面波(SAW)器件使用频率的升高，使它在雷达、电子战、......
高功率氮化镓(GaN)基半导体电子器件的进一步发展受到其低热导率及高界面热阻的限制。采用和氮化镓结合紧密的高热导合成金刚......
该文研究了在微波等离子体气相沉积过程中离子轰击对金刚石膜取向的影响。实验发现利用离子轰击辅助化学气相沉积的方法，在任意取向......
雷达、电子战等射频电子装备向高集成度和大功率方向发展,有力牵引了射频微系统技术的进步,同时给冷却设计带来三大挑战:高面热流......
目的探究V2O5薄膜厚度对其抗激光损伤性能的影响。方法通过射频反应磁控溅射法在光学级单晶金刚石衬底表面制备了不同膜厚的V2O5薄......
