【摘 要】
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控制铸造多晶硅初始生长阶段的晶粒形貌和生长方向,是提升多晶硅质量的重要方法.研究发现,硅原料熔化后,通过引晶形核方法,使用硅的异质或同质籽晶在硅晶体生长初期提供形核
【机 构】
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控制铸造多晶硅初始生长阶段的晶粒形貌和生长方向,是提升多晶硅质量的重要方法.研究发现,硅原料熔化后,通过引晶形核方法,使用硅的异质或同质籽晶在硅晶体生长初期提供形核点及降低形核驱动力,能够实现对铸造多晶硅初始生长阶段晶粒形貌的有效控制.进一步分析发现,异质籽晶形核和同质籽晶形核对长晶初期的晶粒相貌控制存在一定差异,但晶粒的位错密度都比普通多晶硅较低,且这种晶粒结构在多晶硅的后续生长过程中存在一定的择优取向和连续性.利用这种籽晶辅助方法生长的铸造多晶硅具有晶粒大小均一和晶向相近的特点,其平均位错密度低于1×105/cm2,平均电池转化效率达到17.8％,比普通多晶硅高约0.5％.
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