全介质蝶形阵列的场增强性质研究

来源 :第十二届全国硅基光电子材料及器件研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:nannalee
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电磁场的"热点(hot spot)"是电磁场强烈增强的区域,通常形成于耦合结构尤其是金属颗粒之间或者金属颗粒与金属薄膜之间的纳米间隙中.近年来,多个研究组报道了三角棱柱尖端耦合的金属蝶形纳米天线.设计了一种高折射率的全介质蝶形纳米阵列结构,在去除金属的本征损耗的同时,仍然能够在介质颗粒的纳米尺度间隙中形成热点,具有优异的场增强效果。
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近年来通过制备硅基Ⅲ-Ⅴ族半导体激光器以实现高性能硅基光源的研究备受人们关注.在Si衬底上外延生长Ⅲ-Ⅴ族激光器材料的方法易于实现Ⅲ-Ⅴ族材料与Si衬底的大面积集成,因而成为一条很有希望的技术途径.本工作在生长了Ge缓冲层的Si(001)衬底上外延生长GaAs缓冲层,利用GaAs与Ge晶格常数非常接近的特点,生长出表面比较平整、位错缺陷较少的GaAs外延层。然后生长了多周期的应变超晶格位错阻挡层,
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