引入p-Cu2O空穴注入层对Au/MgO/ZnO异质结构电致发光的影响

来源 :第十四届全国发光学学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：zhexiu1314

【摘要】

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半导体ZnO 具有优越的材料特性(宽禁带：3.37 eV,高激子束缚能：60 meV)和良好的光学及电学性质,是发展短波长、低阈值发光/激光二极管(LEDs/LDs)的理想候选材料之一.目前,获得高质量稳定可重复的p 型ZnO 仍然存在很大的困难,制约了其同质结器件的发展.近年来,研究人员将目光投向了构建ZnO 基异质结器件.

【作者】

：

张涔张娟刘为振徐海阳杨柳刘益春

【机构】

：

紫外光发射材料与技术教育部重点实验室,东北师范大学,吉林长春 130024

【出处】

：

第十四届全国发光学学术会议

【发表日期】

：

2016年5期

【关键词】

：

Au/MgO/ZnO异质结构 MIS结空穴注入层 p-Cu2O 紫外电致发光

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