ZnO薄膜的p型掺杂近年来一直是ZnO基材料研究的一个热点和难点，对于其在短波长光电子器件方面的应用起着至关重要的作用。近年来国内外研究者p型ZnO薄膜的生长及掺杂进行了大量研究，并取得了重要进展，但要将前期的研究成果推广到工业化生产应用还存在着诸如掺杂工艺过于复杂或所使用的生长方法不适于生产等多方面的问题。本课题组在此前的研究中采用掺钠的技术已经获得了较好的室温电致发光结果，因此，本文的研究内容主要在此基础上，采用具有可工业化生产应用优势的MOCVD方法生长Na掺杂p型ZnO薄膜，并对Na杂质在薄膜中的位置、价态、光学及电学行为进行深入的研究。我们采用自己开发的含Na金属有机源进行MOCVD设备上的Na掺杂，采用的表征测试方法主要包括XPS、DLTS、STS、L-PL等。