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深亚微米CMOS闩锁效应分析及预防
深亚微米CMOS闩锁效应分析及预防
来源 :四川省电子学会半导体与集成技术专委会2008年度学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:chen95127
【摘 要】
:
随着器件特征尺寸越来越小,CMOS集成电路的闩锁效应越来越显著。本文根据P衬底N阱工艺中的四端pnpn结构,详细地解释了闩锁效应的形成机理.介绍了在集成电路设计和版图方面如何
【作 者】
:
张艳艳
【机 构】
:
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 成都 610054
【出 处】
:
四川省电子学会半导体与集成技术专委会2008年度学术年会
【发表日期】
:
2008年期
【关键词】
:
深亚微米
CMOS集成电路
闩锁效应
效应分析
器件特征尺寸
集成电路设计
形成机理
基本保障
电路实现
结构
工艺
高速
衬底
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随着器件特征尺寸越来越小,CMOS集成电路的闩锁效应越来越显著。本文根据P衬底N阱工艺中的四端pnpn结构,详细地解释了闩锁效应的形成机理.介绍了在集成电路设计和版图方面如何采用有效的措施来避免、降低甚至消除闩锁效应的形成,这是深亚微米CMOS高速电路实现的基本保障。
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