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近年来高K材料在Ge衬底上的生长及性质研究引起了人们越来越多的兴趣.本文研究了Er2O3薄膜在Ge衬底上的生长及性质.本文利用导电原子力显微镜(CAFM)研究了Ge衬底上Er2O3薄膜的局域电学性质.利用原子力显微镜的原位定位技术,还实现了退火对薄膜电学性质影响的原位研究.
Ge衬底上Er2O3薄膜的局域电学性质及退火行为在位研究
【摘 要】
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近年来高K材料在Ge衬底上的生长及性质研究引起了人们越来越多的兴趣.本文研究了Er2O3薄膜在Ge衬底上的生长及性质.本文利用导电原子力显微镜(CAFM)研究了Ge衬底上Er2O3薄膜
【机 构】
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太原理工大学新型传感器与智能控制教育部重点实验室,太原,030024复旦大学应用表面物理国家重点实验室,上海,200433
【出 处】
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第十届全国分子束外延学术会议
【发表日期】
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2013年8期
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