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近年来高K材料在Ge衬底上的生长及性质研究引起了人们越来越多的兴趣.本文研究了Er2O3薄膜在Ge衬底上的生长及性质.本文利用导电原......
本文对分子束外延生长ErO高k栅介质材料的物理特性研究及硅基磁性半导体材料的制备进行了探讨。本研究在不同的氧气压及不同的衬底......
以钛酸丁酯和Er2O3为原料，无水乙醇为溶剂，硝酸为抑制剂，采用溶胶．凝胶法制备了Er2O3／TiO2复合催化剂，利用XRD对其进行了表征。讨论了Er2......
微电子工业的发展，对集成电路密度和性能提出了越来越高的要求，栅介质层的厚度也随之变得越来越薄。由于栅介质氧化层的直接隧穿而引......
