【摘 要】
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单晶硅片是制造集成电路必须采用的衬底材料,随着IC制造技术要求的不断提高,对硅片的制造要求也越来越高,其中硅片平整度是评价硅片加工质量的重要技术指标之一,通过优化减薄
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单晶硅片是制造集成电路必须采用的衬底材料,随着IC制造技术要求的不断提高,对硅片的制造要求也越来越高,其中硅片平整度是评价硅片加工质量的重要技术指标之一,通过优化减薄工艺,可以提高硅片的加工质量,如硅片形貌、TTV、STIR等几何参数指标。本文,根据减薄面型控制理论,通过设定减薄设备中减薄机砂轮轴线与真空吸附台面之间摆动角和偏摆角的角度参数,使其硅片的平整度几何参数满足要求。利用ADE7200测试设备对硅片的几何参数进行测量分析研究。研究结果表明:硅片的减薄后的形貌、TTV、STIR等几何参数与加工台面和砂轮之间的夹角存在强相关关系,通过调整加工台面与砂轮之间的夹角可以达到我们要求的硅片减薄后的几何参数。
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