【摘 要】
:
当In组分为0.18时,由于InAlN和GaN晶格匹配,InAlN/A1N/GaN HFET成为新一代HFET的研究热点,本文通过平行电导法计算界面缺陷态,发现存在快慢两种缺陷态,分别来自于HFET表
【机 构】
:
School of Pbysics,Shandong Univeraity Jinan,250100, China
【出 处】
:
第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
论文部分内容阅读
当In组分为0.18时,由于InAlN和GaN晶格匹配,InAlN/A1N/GaN HFET成为新一代HFET的研究热点,本文通过平行电导法计算界面缺陷态,发现存在快慢两种缺陷态,分别来自于HFET表面和InAlN和GaN界面。界面缺陷能级为低于导带底0.3ev左右,时间常数T~0.5-0.6us,界面缺陷态密度为l~3×lO12cm-2ev-1,说明虽然InAlN和6aN晶格匹配,但依然存在着比较大的界面缺陷态。
其他文献
利用拉曼散射的方法研究了AlN晶针在不同直径(9.5tm≤d≤45.9μm)处光学声子E21、A1(TO)、E22、E1(TO)和E1(LO)的振动行为。因为拉曼信号的散射截面会随着AIN晶针直径的
张学良自1946年冬天经重庆秘密飞往台湾以后,便进入了更加秘密的幽禁状态。高雄是张学良在台湾秘密幽禁的最后一站。在这里他和赵一荻整整住了9年。一直住在西子湾附近的一处
针对建筑工程结构裂缝问题而言,必须高度重视,并结合实际情况采取更新型、更行之有效的控制和处理技术,从根本上处理此类问题.同时,要进一步优化施工流程和策略,以此在更大程
为了保证建筑工程在实际施工中的质量和效果,有必要根据实际施工情况,合理利用深基坑施工技术,对深基坑支护进行深入研究,制定完善的施工方案,以保证建筑地基的施工符合有关
笔者研究了不同极性的n型InN薄膜的输运性质。经常在N极性InN薄膜中出现的晶界(GB)被证实会增强载流子的散射,进而削弱电子的迁移率。在晶界两侧会形成势垒,阻挡部分载流
随着现代高层建筑的迅速发展,建筑规划越来越重要.随着专业建筑规划的划分越来越细化,建筑设计逐渐从建筑规划中分离出来,成为建筑行业的重要组成部分.专业的建筑规划设计需
随着社会经济的发展,测绘技术的应用范围越来越广泛,同时对测绘精度的要求也越来越高.航空摄影测量技术是当前测绘行业中较为新颖的技术.本文主要对航空摄影测量技术的特点和
夏天是一年中气温最高的季节,酷暑带给人体的不仅是燥热、烦闷等不适感,还是诸如中暑、头痛及心脏病发作等的“导火线”。因此,把握日常生活中的最佳温度,有助于你平安度过
采用有限元法模拟了物理气相传输法(PVT)制备大尺寸AIN晶体的温度场,应用ANSYS软件对比研究了在不同实验条件下生长系统的温度场分布情况。模拟结果表明:最高温度在坩埚上,
随着我国社会综合实力的不断发展,为了提升我国居民的整体生活质量,加强我国综合经济,我国开展了南水北调工程.南水北调工程是一项利国利民的政策,将对我国水利建设提供有效