该文叙述了一种能快速测量氢离子活性度的场效应晶体管（H[*+*]-ISFEI）。简要介绍了利用MOS工艺技术研制N沟道耗尽型ISFEI的情况。设计了两种芯片，一种是单能道，一种是三通道（即三个敏感栅），具有不同的宽长比，给出初步测试结果。ISFEI中把通常的绝缘栅场效应晶体管（IGFEI）的金属栅去掉，裸露在电解液之中。H[*+*]敏感绝缘栅采用Si[*v3*]N[*v4*]—SiO[*v2*]结构，Si[*v3*]N[*v4*]用P—LPCVD方法生长，厚度是1000A°，SiO[*v2*]是热生长，并经过磷处理，最后采用了聚酰亚薄膜保护和绝缘胶封装。这种H[*+*]-ISFEI的灵敏度达50MV／PH，同Nernst方程的理论曲线相接近。现已封装成几种形式的PH探头，在实际应用中试验。（本刊录）