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密度泛函方法研究NiSin(n=1-6)团簇

来源 :第二届中国西安纳米科技研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：feifeichongwx

【摘 要】

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运用杂化密度泛函理论在(U)B3LYP/LanL2DZ水平上对NiSin(n=1-6)团簇的各和起始几何构型进行了优化计算，确定了NiSin(n=1-6)团簇的基态几何构型，并讨论了它们的分裂能，自然布居，自然电子构型，Mulliken原子净布居及重叠布居等：发现分裂能D(n,n-1)中D(2,1)最大，说明NiSi2是NiSin(n=1-6)中最稳定的团簇结构，与实验结果相符。计算结果表明Ni失

【作 者】

：

李锋 任兆玉 郭平 韩聚广 

【机 构】

：

西安 西北大学光子所 710069，陕西；商洛师专 726000 西安 西北大学光子所 71006

【出 处】

：

第二届中国西安纳米科技研讨会

【发表日期】

：

2003年8期

【关键词】

：

团簇几何构型 密度泛函 分裂能 Mulliken 原子净布居 

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运用杂化密度泛函理论在(U)B3LYP/LanL2DZ水平上对NiSin(n=1-6)团簇的各和起始几何构型进行了优化计算，确定了NiSin(n=1-6)团簇的基态几何构型，并讨论了它们的分裂能，自然布居，自然电子构型，Mulliken原子净布居及重叠布居等：发现分裂能D(n,n-1)中D(2,1)最大，说明NiSi2是NiSin(n=1-6)中最稳定的团簇结构，与实验结果相符。计算结果表明Ni失去电荷。另外，在最稳定NiSin(n=1-6)团簇中，电子从Ni向Si转移，并且Ni-Si重叠布局为正，增强团簇的稳定性。

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