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生长速度和温度对不掺杂N/N<'+>型硅外延层电阻率的影响
生长速度和温度对不掺杂N/N<'+>型硅外延层电阻率的影响
来源 :第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:lst39889667
【摘 要】
:
该文就生长速度和温度对不掺杂N/N〈’+〉型硅外延层电阻的影响进行探讨。
【作 者】
:
傅雄强
【机 构】
:
市半导体技术研究所
【出 处】
:
第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会
【发表日期】
:
1997年期
【关键词】
:
生长速度
温度
掺杂
硅外延层
电阻率
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该文就生长速度和温度对不掺杂N/N〈’+〉型硅外延层电阻的影响进行探讨。
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