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该文就生长速度和温度对不掺杂Ｎ／Ｎ〈’＋〉型硅外延层电阻的影响进行探讨。
生长速度和温度对不掺杂N/N<'+>型硅外延层电阻率的影响
【摘 要】
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该文就生长速度和温度对不掺杂Ｎ／Ｎ〈’＋〉型硅外延层电阻的影响进行探讨。
【机 构】
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市半导体技术研究所
【出 处】
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第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会
【发表日期】
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1997年期
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