【摘 要】
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氧化锌(ZnO)材料具有宽禁带(Eg=3.37 eV)、高激子结合能(60 meV)、化学性质、生物兼容性好等特点，是近年来半导体纳米材料与器件研究的典型代表.具有棒状、片状、管状、花
【机 构】
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中国科学院 上海硅酸盐研究所 高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室,上海200050
【出 处】
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2010(第三届)中国微纳电子技术交流与学术研讨会
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氧化锌(ZnO)材料具有宽禁带(Eg=3.37 eV)、高激子结合能(60 meV)、化学性质、生物兼容性好等特点，是近年来半导体纳米材料与器件研究的典型代表.具有棒状、片状、管状、花状的各种ZnO纳米结构(如图1)可望在短波长光电器件(如紫外发光二极管、紫外半导体激光器)、太阳能电池、光催化、化学催化、生物传感等广泛的领域得到应用.然而，尽管目前ZnO纳米结构的可控制备和形貌控制研究已经取得了较大进展，但要得到满足特定纳米器件要求的ZnO纳米结构仍然非常困难，开发对其微观形貌、结构和性能进行精确调控的方法仍然非常必要.
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