【摘 要】
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采用等离子体增强化学气相沉积工艺(PECVD),在工作气压约300Pa下,制备了优质的本征非晶态薄膜(I层)和掺磷的纳米硅薄膜(N层)。并将制备的掺磷纳米硅薄膜应用于纳米硅薄膜太阳
【机 构】
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北京航空航天大学 物理与核能工程学院凝聚态物理与材料物理研究中心，北京 100191
【出 处】
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2009全国功能材料科技与产业高层论坛
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采用等离子体增强化学气相沉积工艺(PECVD),在工作气压约300Pa下,制备了优质的本征非晶态薄膜(I层)和掺磷的纳米硅薄膜(N层)。并将制备的掺磷纳米硅薄膜应用于纳米硅薄膜太阳能电池,分析讨论了膜层的厚度、晶态比、透射谱等对电池性能的影响,初步制备出了纳米硅薄膜太阳能电池,并在中科院电工所国家太阳能电池测试中心测得电池开路电压(Voc)为555.2mV,短路电流(Isc)为25.12mA/cm2,光电转换效率为6.6％。
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