GaN基宽禁带半导体材料在光电子器件以及功率器件等方面具有广阔的应用前景,至今在低能耗发光二极管(LED)照明领域取得了重大进展,为此Akasaki,Nakamura和Amano三位教授在2014年获得了诺贝尔物理学奖.半导体面发射激光器一般具有一个垂直谐振腔，简称为VCSEL。作者所在的厦门大学研究组通过优化激光剥离、去除高缺陷GaN层、降低ITO腔内电流扩展层厚度、优化量子阱结构和金属键合等手段，于2014年实现了室温连续电注入GaN基VCSEL的蓝紫光激射。在后续工作中，优化了器件工艺，研究了谐振腔中的热效应和光损耗机制。进一步通过采用量子点有源区和Cu衬底散热结构，实现了室温连续电注入条件下的绿光激射。本论文将详细介绍小组在GaN基VCSEL研究方面的工作进展。