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GaN基半导体材料的高场输运性质凭借其在高功率、高频率电子器件工作过程中的重要性，受到了广泛的关注。负微分电阻效应是一种重要的高场效应，它决定了高电场下工作的器件性能，电子速度过冲更增强了器件的高速工作。因此，研究高场下GaN基材料中的负微分电阻效应具有重要意义。本文研究了不同沟道尺寸的n型GaN外延层的高场电流--电压(I-V)特性，发现了高电场下电子的漂移速度的尺寸效应并分析了导致这种效应的原因。