【摘 要】
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以金属有机化学气相沉积(MOCVD)反应器沉积GaN为对象,建立了反应器内部数学模型.通过应用GAMBIT软件划分复杂模型的基础上,对新颖的反应器的输运过程进行了二维数值模拟的研究,计算了反应器中流场的分布.根据对模拟结果的分析可知:在低于常压和反应器进口距加热器距离较小的工况下,反应器内的输运过程比较稳定,满足制各薄膜所需的层流特征.
【机 构】
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上海工程技术大学高职学院,200437
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以金属有机化学气相沉积(MOCVD)反应器沉积GaN为对象,建立了反应器内部数学模型.通过应用GAMBIT软件划分复杂模型的基础上,对新颖的反应器的输运过程进行了二维数值模拟的研究,计算了反应器中流场的分布.根据对模拟结果的分析可知:在低于常压和反应器进口距加热器距离较小的工况下,反应器内的输运过程比较稳定,满足制各薄膜所需的层流特征.
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