YAG∶Ce,Sm纳米球形荧光粉的合成与性能表征

来源 :中国稀土学会玻陶专委会2012年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:njxgfd
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
  通过苹果酸溶胶-凝胶法合成了YAG∶ Ce,Sm球形荧光粉.利用XRD技术分析晶相的合成过程.采用荧光光谱研究Sm3+掺杂对荧光粉发光强度的影响并且利SEM研究粉体的微观形貌.研究结果表明:1200℃煅烧3h获得的球形粉体的粒径大约为100nm.随着Sm3+掺杂浓度的逐渐增加,荧光粉的发射峰逐渐的由525nm红移到540nm.在540nm呈现Ce3+的特征宽发射谱,并且在617nm处出现由Sm3+的4G5/2→6HJ电子跃迁产生的发射峰.因此通过共掺Sm3+增加了YAG∶Ce荧光粉的红色成分.
其他文献
采用传统工艺制备出Eu3+掺杂NaF-Y2O3-Al2O3-SiO2 (NYAS)系氟氧化物玻璃陶瓷,利用XRD、SEM以及荧光光谱仪对玻璃陶瓷的晶相、形貌和荧光性能等进行了研究.XRD结果表明,热处理温度在910℃以下的玻璃陶瓷中主晶相为NaAlSiO4,当温度达到1020℃时,NaYSiO4成为玻璃陶瓷的主晶相.荧光光谱表明样品在395nm波长激发下,发射光谱特征峰主要来自于Eu3+的5D0-
以氟金云母玻璃陶瓷为试验材料,进行了切削加工试验,分析了材料去除过程和微观断裂机制。切削试验分别在车床、钻床上进行,通过计算材料去除体积,考察了材料去除率变化特性,通过扫描电镜观察,研究了可加工陶瓷的材料微观断裂机制。结果表明,可加工陶瓷的切削加工过程中,材料去除过程可分为初期、高效和后期三个阶段。材料微观断裂型式与晶粒的微观排列方式密切相关,晶粒之间沿晶断裂和穿晶断裂的相互叠加、复合,促成了材料
采用高温固相反应法制备SrSi2O2N2∶Eu2+绿色荧光粉,运用XRD,荧光光谱对其进行表征.XRD分析结果表明,所合成的SrSi2O2N2∶Eu2+属于单斜晶系晶体,空间群为P21/m.荧光光谱分析表明,在420-500nm可见光的激发下,发射光谱为峰值波长为545nm的宽带谱.随着Eu2+离子浓度的增加,发光强度逐渐增大,当Eu2+离子浓度为10mol%,发光强度最大.研究烧成工艺制度对荧光
采用高温固相法合成了暖白光LED用Sr3B2O6∶Eu2+黄色荧光粉,Sr3B2O6∶Eu2+荧光粉的晶体结构为斜方六面体Sr3B2O6.荧光粉的激发光谱是由激发主峰位于469nm的宽带谱组成,这使得该荧光粉适合GaN基蓝光芯片激发.荧光粉的发射光谱是由峰值位于566nm的宽带谱组成,对应于Eu2+典型的4f5d1-4f7跃迁.通过高斯单峰拟合了该发射光谱,结果表明其发射主峰位于575nm,结合C
采用低温燃烧合成法(Low-temperature Combustion Synthesis,简写为LCS)成功一步合成了氟化物体系纳米上转换发光材料NaYF4∶Er3+,Yb3+,样品在980nm红外激光激发条件下的上转换发射光谱包含绿色和红色两种发射谱峰结构,峰值波长分别位于522 nm、545 nm和653nm,分别对应于Er3+的2H11/2→4I15/2、4S3/2→4I15/2和4F9