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采用直流脉冲等离子化学气相沉积技术在Si(100)衬底上制备含氢非晶碳膜，制备的薄膜采用拉曼谱对结构表征，采用扫描电镜对应力释放花纹进行表征。除了众所周知的正弦型和花状等应力释放花纹，两种不同的花状花纹被观察到，一种是环状和正弦相互竞争存在的花纹，一种是带小齿的陀螺型花纹。我们通过平板起皱理论对花纹进行了分析。