【摘 要】
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该文用共焦喇曼系统原位观察了Si(100)表面在NH〈,4〉OH/H〈,2〉O〈,2〉/H〈,2〉O(SC-1)溶液中的变化过程。研究表明:在硅片浸入SC-1溶液的过程中,其表面逐浙被两种氧化物所覆盖,一种是由于NH〈,4〉OH作用形成的氧化物,另一种是在NH〈,4〉OH和H〈,2〉O〈,2〉共同作用下形成的、并与氢相关的氧化物。除此之外,硅片表面有少量的Si-H键存在。
【出 处】
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第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
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该文用共焦喇曼系统原位观察了Si(100)表面在NH〈,4〉OH/H〈,2〉O〈,2〉/H〈,2〉O(SC-1)溶液中的变化过程。研究表明:在硅片浸入SC-1溶液的过程中,其表面逐浙被两种氧化物所覆盖,一种是由于NH〈,4〉OH作用形成的氧化物,另一种是在NH〈,4〉OH和H〈,2〉O〈,2〉共同作用下形成的、并与氢相关的氧化物。除此之外,硅片表面有少量的Si-H键存在。
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