【摘 要】
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芯片上常规介电电泳过程中，粒子在竖直方向上会同时受到介电电泳力，由于电热流动引起的Stokes粘拽力以及净重力的综合作用。本文通过简化和假设，建立了一个芯片上微通道中粒
【机 构】
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上海交通大学机械学院微流与热控研究中心,上海,200240
【出 处】
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2007两岸三地博士生NBIC学术论坛
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芯片上常规介电电泳过程中，粒子在竖直方向上会同时受到介电电泳力，由于电热流动引起的Stokes粘拽力以及净重力的综合作用。本文通过简化和假设，建立了一个芯片上微通道中粒子发生常规介电电泳的二维数学模型。计算结果给出了微通道中的电场强度分布，并得到了发生负向介电电泳时粒子在通道不同高度所受到的介电电泳力和Stokes粘拽力的大小。最后分析了粒子发生悬浮的条件，分别计算了在考虑和不考虑Stokes粘拽力时不同水平位置处粒子发生悬浮的高度，并对粒子半径对悬浮高度的影响做了分析。
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