大规模集成电路中子和γ综合电离辐照效应探究

来源 :第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：xiamen88

【摘要】

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CMOS工艺的大规模集成电路对电离辐射十分敏感,但综合辐照环境下的电离效应鲜有报道.通过对80C196KC和PSD501B1两种不同的芯片开展中子和γ综合电离辐照效应试验及研究,发现

【作者】

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徐天容杨怀民

【机构】

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中国工程物理研究院,电子工程研究所,四川,绵阳,919-522信箱,621900

【出处】

：

第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会

【发表日期】

：

2005年期

【关键词】

：

大规模集成电路中子电离效应辐照环境效应试验静态电流工艺电离辐照电离辐射化因素反应堆增长芯片解释

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CMOS工艺的大规模集成电路对电离辐射十分敏感,但综合辐照环境下的电离效应鲜有报道.通过对80C196KC和PSD501B1两种不同的芯片开展中子和γ综合电离辐照效应试验及研究,发现在反应堆中子、γ综合辐照环境下,CMOS工艺大规模集成电路的中子电离效应较弱,但总的静态电流增长受到抑制,经过分析相关变化因素,对该现象做出了初步解释.

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