辐射总剂量相关论文
对不同几何尺寸的8型栅NMOS,在受到总剂量辐射影响时其电参数特性的损伤或退化特性,以及与常规结构抗总剂量能力或参数损伤变化比......
MOS器件辐射效应的一些基本物理过程,如电荷产生、空穴输运、俘获与退火以及界面陷阱增长与退火等,取决于辐照总剂量、辐照剂量率......
本文介绍了一种星用大电流PIN驱动器的抗辐射设计,主要考虑了氧化层中的电荷对硅表面导电性能改变所造成对电路的影响,通过摸底试......
本文介绍了一种星用双向导通PIN驱动器的抗辐射设计,主要考虑了氧化层中的电荷对硅表面导电性能改变所造成对电路的影响,通过摸底......
利用^60Co产生Y射线辐射场对国产银河飞腾DSP的总剂量效应进行了初步试验。建立了一个辐射环境下银河飞腾DSP芯片功能检测的计算机......
介绍了在强电流作用下的ggnMOS作用机理,分析了ggnMOS抗ESD能力的主要表征参数,利用X射线辐射系统和TLP测试系统研究了辐射总剂量......
