【摘 要】
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本文通过磁控溅射法制备了Ag掺杂的Sb2Te3和Sb3Te薄膜.利用X射线衍射仪,原位电阻-温度(R-T)和原位电阻-时间(R-t),可见近红外透过光谱等测试方法研究了薄膜样品的结晶特
【机 构】
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宁波大学红外材料与器件实验室,宁波315211
【出 处】
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第八届中国功能玻璃学术研讨会暨新型光电子材料国际论坛
论文部分内容阅读
本文通过磁控溅射法制备了Ag掺杂的Sb2Te3和Sb3Te薄膜.利用X射线衍射仪,原位电阻-温度(R-T)和原位电阻-时间(R-t),可见近红外透过光谱等测试方法研究了薄膜样品的结晶特性,热学,电学及光学特性.研究结果表明引入金属Ag可以有效抑制晶粒的生长.同时,随着Ag含量增加,Sb3Te薄膜的结晶温度有所提高.非晶电阻和晶态电阻随着Ag含量的增加均有所提高,且非晶电阻/晶态电阻之比达到104.其中,Ag26.82(Sb3Te)73.18薄膜具有比Ge2Sb2Te5材料更为优异的非晶态热稳定性,其非晶态能在92℃环境下保存10年.此外,利用经典的Tauc方程计算了样品光学带隙.分析结果表明与纯Sb3Te薄膜相比Ag26.82(Sb3Te)73.18薄膜具有更大的光学带隙,这有利于降低相交存储器阈值电流.这些优异的性能表明Ag26.82(Sb3Te)73.18薄膜适合作为相变存储介质.
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