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随着半导体材料的发展和工业需求领域的不断扩展,迫使以硅为基础和砷化镓为基础的微波功率器件遇到了强有力的挑战.而新型的宽禁带(WBG)半导体材料,如SiC、GaN和金刚石,由于具备高导热率、高介质击穿电压,以及高饱和载流子速度等,因此在制作高功率器件时,其结温可大幅度上升,可以预见在不久的将来将成为替代硅及砷化镓器件的优选产品.