【摘 要】
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室温下,采用磁控溅射方法在热氧化P型硅衬底上制备了IGZO-TFT.在不同氩氧比条件下制备IGZO薄膜,研究氧分压对IGZO-TFT性能的影响.发现随着氧分压的增加,器件的场效应迁移率逐渐减小,电流开关比也逐渐减小,但阈值电压和亚阈值摆幅逐渐增加.
【机 构】
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山东大学(威海)空间科学与物理学院,山东威海,264209
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室温下,采用磁控溅射方法在热氧化P型硅衬底上制备了IGZO-TFT.在不同氩氧比条件下制备IGZO薄膜,研究氧分压对IGZO-TFT性能的影响.发现随着氧分压的增加,器件的场效应迁移率逐渐减小,电流开关比也逐渐减小,但阈值电压和亚阈值摆幅逐渐增加.
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