InGaAs量子阱中异常的电子退相

来源 :第十七届全国半导体物理学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:deboywang126
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电子退相时间描述了微观系统的量子行为转换到经典行为的快慢。它是研究半导体输运行为一个重要参量。对于二维量子阱而言,非弹性的电子-电子相互作用决定了电子的退相过程。这表明电子退相时间对温度和电导的依赖关系可以用费米-液滴理论来描述。然而,通过研究InGaAs/InAIAs量子阱材料的弱反局域效应(weak antilocalization)发现电子表现出异常的退相行为。
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