【摘 要】
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本文使用固源分子束外延(SS-MBE),生长了一系列的变生长温度的In0.37Ga0063As/GaAs(001)量子点.通过对生长样品的原子力显微镜(AFM)测量,发现量子点的形貌强烈依赖于其生长温
【机 构】
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中科院半导体研究所新材料部,北京912信箱,100083
【出 处】
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中国电子学会第八届青年学术年会暨中国电子学会青年工作委员会成立十周年学术研讨会
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本文使用固源分子束外延(SS-MBE),生长了一系列的变生长温度的In0.37Ga0063As/GaAs(001)量子点.通过对生长样品的原子力显微镜(AFM)测量,发现量子点的形貌强烈依赖于其生长温度.在一定临界温度以下,量子点无法形成.随着成点温度的提高,量子点的体积逐渐增加.通过计算量子点的密度,得到了InGaAs/GaAs生长的优化温度,在此温度下,量子点具有最高的密度和最好的均匀性.
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