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采用甚高频等离子体增强化学气相沉积法制备n-i-p 微晶硅电池,发现对n/i 界面进行氢处理后电池的长波响应有很大的提高.为了解释氢处理n/i 界面改善微晶硅太阳电池长波响应机制,对微晶硅薄膜太阳电池进行了模拟分析,发现本征层缺陷态密度对电池长波响应影响较大.将模拟分析结果与实验结果对比,讨论了氢处理本征起始层改善微晶硅太阳电池长波响应机制.