【摘 要】
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本文采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,对高锗含量微晶硅锗材料的特性和电池的结构均进行了优化.首先,通过对衬底温度的调节,在衬底温度为200 °C 的情况下,
【机 构】
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南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,光电信息技术科学教育部重点实验室,光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,天津 300071
【出 处】
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第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会(CPVC12)
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本文采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,对高锗含量微晶硅锗材料的特性和电池的结构均进行了优化.首先,通过对衬底温度的调节,在衬底温度为200 °C 的情况下,获得了光电特性和结构特性较优的高锗含量微晶硅锗材料；其次,对高锗含量微晶硅锗电池的结构进行优化,有效的改善了电池的界面特性,减少漏电流的产生.基于上述优化,在本征层锗含量为53％,厚度为600 nm 的情况下,制备出了短路电流密度为22.5 mA/cm2的微晶硅锗电池,微晶硅锗电池在较薄本征层厚度下显示出了优异的长波光谱响应,体现了其作为叠层电池中底电池的优势和潜力.
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