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SiGeC三元合金近年来日益成为人们研究的热点之一。碳的加人为SiGe系统在能带和应变工程上提供了更大的灵活性。处于替代位置的碳能缓解SiGe合金的应变，同时调节其能带。该文介绍了用UHV／CVD系统生长的锗硅碳合金，并对实验结果进行了简要分析。
UHV／CVD系统外延生长锗硅碳三元合金
【摘 要】
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SiGeC三元合金近年来日益成为人们研究的热点之一。碳的加人为SiGe系统在能带和应变工程上提供了更大的灵活性。处于替代位置的碳能缓解SiGe合金的应变，同时调节其能带。该文
【机 构】
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大学硅材料国家重点实验室(杭州)
【出 处】
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第六届全国固体薄膜学术会议
【发表日期】
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1998年期
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