【摘 要】
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一些具有 3d4～7电子构型的八面体过渡金属配合物在其晶体场分裂能(Δ)和平均电子成对能(P)大小相近时，通过温度、光照和压力等外界微扰可引起轨道电子重新排布，从而导致高自
【机 构】
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中山大学化学与化学工程学院,生物无机与合成化学教育部重点实验室,广州510275
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一些具有 3d4～7电子构型的八面体过渡金属配合物在其晶体场分裂能(Δ)和平均电子成对能(P)大小相近时，通过温度、光照和压力等外界微扰可引起轨道电子重新排布，从而导致高自旋(HS)和低自旋(LS)两种状态的相互转换，并伴有大的滞回现象和颜色变化。此类分子是显色器件、光开关、压力传感器和信息存储材料的理想材料[1]。本文报道我们课题组近几年来在具有自旋交叉行为的系列铁(Ⅱ)金属簇合物与金属有机骨架化合物的设计合成和自旋交叉行为调控以及导电自旋交叉复合材料方面所取得的研究进展[2]。
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